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CMOS面陣X-ray成像技術(shù)

發(fā)布時間:2017-10-27

在醫(yī)療,科學(xué)領(lǐng)域中,膠片和模擬方式的X-ray成像技術(shù)已經(jīng)迅速的被數(shù)字化直接成像器件代替,而基于CMOS的X-ray探測器可以提供更高的分辨率-CMOS半導(dǎo)體wafer可以提供20-100微米的像元尺寸,從而可以幫助醫(yī)生更早的發(fā)現(xiàn)病變,提高患者治愈率,降低治療成本。此外,CMOS技術(shù)與其他數(shù)字化X-ray成像方式相比還具有噪聲低,速度快,動態(tài)范圍大等優(yōu)勢。

CMOS成像技術(shù)特色

1. 噪聲低:相比較其他數(shù)字X-ray成像方式,CMOS探測器的噪聲低數(shù)倍;

2. 讀出速度快: CMOS技術(shù)采用尋址讀出數(shù)據(jù)方式,數(shù)據(jù)傳輸率超高;

3. 分辨率高: CMOS像元尺寸是數(shù)字成像器件中最小的,可以提供最高的空間分辨率;

4. 灰度實時反饋: Dose Sensing技術(shù),可以實時反饋當(dāng)前探測器接受劑量反饋回去實時控制X射線;

5. CMOS技術(shù)通用性: CMOS Wafer在消費數(shù)字產(chǎn)品中的使用可以在未來大幅降低成本;

6. 無拖影:CMOS技術(shù)在實時顯示時的拖影百分比僅僅為0.1%,可以忽略不計
               CMOS面陣X-ray成像技術(shù).jpg

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